מספר מוצר של יצרן:
TSM210N02CX RFG
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM210N02CX RFG-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 6.7A (Tc) 1.56W (Tc) Surface Mount SOT-23
מלאי:
131718 יחידות חדשות מק originales במלאי
12900528
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM210N02CX RFG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
800mV @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
4 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
600 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.56W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
TSM210
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM210N02CXRFGTR
TSM210N02CX RFGDKR-DG
TSM210N02CXRFGDKR
TSM210N02CX RFGTR-DG
TSM210N02CX RFGCT
TSM210N02CX RFGCT-DG
TSM210N02CX RFGTR
TSM210N02CXRFGCT
TSM210N02CX RFGDKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP21D5UFD-7
MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
TSM2N100CH C5G
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251
DMN60H4D5SK3-13
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252
